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在矽底材上成長三族氮化物半導體異質磊晶結構的方法

國立清華大學

申請案號
092128938
公告號
200515614
申請日期
2003-10-17
申請人
國立清華大學
發明人
果尚志
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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在矽底材上成長三族氮化物半導體異質磊晶結構的方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通