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形成自動對準選擇性蝕刻雙凹部高電子移動率電晶體之方法

雷森公司

申請案號
092129031
公告號
200414325
申請日期
2003-10-20
申請人
雷森公司
發明人
柯林　惠倫
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/28
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形成自動對準選擇性蝕刻雙凹部高電子移動率電晶體之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通