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專利資訊
具有超薄、高K閘極電介質之半導體裝置的製造方法
英特爾股份有限公司
申請案號
092131864
公告號
200418185
申請日期
2003-11-13
申請人
英特爾股份有限公司
發明人
羅伯特 趙
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L29/78
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具有超薄、高K閘極電介質之半導體裝置的製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通