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專利資訊
具高遷移率結晶面之雙閘極MOS裝置、CMOS裝置及其製造方法
微軟技術授權有限責任公司
申請案號
092133496
公告號
200518310
申請日期
2003-11-28
申請人
微軟技術授權有限責任公司
發明人
愛德華J 諾瓦克
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L25/07
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