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形成含應變之厚矽層及具有含應變之厚矽層之半導體結構
格羅方德半導體公司
申請案號
092133982
公告號
200421608
申請日期
2003-12-03
申請人
格羅方德半導體公司
發明人
王海宏
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L29/32
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形成含應變之厚矽層及具有含應變之厚矽層之半導體結構 - 專利資訊 | NowTo 智財通