IP
NowTo 智財通
EN
首頁
/
專利資訊
半穿透半反射型電極基板之製造方法,及反射型電極基板及其製造方法,以及製造該反射型電極基板之方法所用的蝕刻組成物
出光興產股份有限公司
申請案號
092135263
公告號
200422741
申請日期
2003-12-12
申請人
出光興產股份有限公司
發明人
井上一吉
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
G02F1/1343
查看申請人公司資訊
本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。
拒絕
接受
×
半穿透半反射型電極基板之製造方法,及反射型電極基板及其製造方法,以及製造該反射型電極基板之方法所用的蝕刻組成物 - 專利資訊 | NowTo 智財通