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半穿透半反射型電極基板之製造方法,及反射型電極基板及其製造方法,以及製造該反射型電極基板之方法所用的蝕刻組成物

出光興產股份有限公司

申請案號
092135263
公告號
200422741
申請日期
2003-12-12
申請人
出光興產股份有限公司
發明人
井上一吉
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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半穿透半反射型電極基板之製造方法,及反射型電極基板及其製造方法,以及製造該反射型電極基板之方法所用的蝕刻組成物 - 專利資訊 | NowTo 智財通