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具有部份或完整包圍閘極電極之非平坦半導體裝置及其製造方法

英特爾股份有限公司

申請案號
092135851
公告號
200501424
申請日期
2003-12-17
申請人
英特爾股份有限公司
發明人
湯瑪士 林頓二世
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有部份或完整包圍閘極電極之非平坦半導體裝置及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通