IP

原子層沉積/化學氣相沉積阻障層與多孔低介電常數材料之整合

應用材料股份有限公司

申請案號
092136608
公告號
200419642
申請日期
2003-12-23
申請人
應用材料股份有限公司
發明人
仲華
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

原子層沉積/化學氣相沉積阻障層與多孔低介電常數材料之整合 - 專利資訊 | NowTo 智財通