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具有閘電極為多晶矽金屬閘結構且側壁於氨氣中氮化之半導體元件

爾必達存儲器股份有限公司

申請案號
092137429
公告號
200414328
申請日期
2003-12-30
申請人
爾必達存儲器股份有限公司
發明人
北村英次
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有閘電極為多晶矽金屬閘結構且側壁於氨氣中氮化之半導體元件 - 專利資訊 | NowTo 智財通