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用於高遷移率元件的ＳＩＧｅ應變弛豫緩衝層及其製造方法

環宇微電中心

申請案號
093101005
公告號
200504835
申請日期
2004-01-14
申請人
環宇微電中心
發明人
戴爾豪恩　羅門
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/20
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用於高遷移率元件的ＳＩＧｅ應變弛豫緩衝層及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通