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專利資訊
氮化鎵系化合物半導體之磊晶結構及其製作方法
旭明光電股份有限公司
申請案號
093106231
公告號
200530437
申請日期
2004-03-09
申請人
旭明光電股份有限公司
發明人
洪詳竣
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
C30B29/38
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