IPC G11C11/00 專利列表
共 36 筆結果
採用碳奈管之大容量磁性記憶體
優慕科技術股份有限公司
案號 0921137902003-05-22IPC G11C11/00
相變記憶體及其形成方法
歐凡尼克斯股份有限公司
案號 0921127182003-05-09IPC G11C11/00
垂直升高孔相變記憶體
歐凡尼克斯股份有限公司
案號 0921127082003-05-09IPC G11C11/00
儲存資訊之方法與系統
歐凡尼克斯股份有限公司
案號 0921124292003-05-07IPC G11C11/00
多位元磁性記憶體裝置
惠普研發公司
案號 0921059482003-03-18IPC G11C11/00
半導體記憶裝置與半導體記憶裝置之控制方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921057352003-03-14IPC G11C11/00
使用靜區儲存之低待命電源
英特爾公司
案號 0921052182003-03-11IPC G11C11/00
依據第一動態參考晶胞之臨界值規劃第二動態參考晶胞之非依電性半導體記憶體裝置
富士通股份有限公司
案號 0921026792003-02-10IPC G11C11/00
記憶體結構(一)
惠普公司
案號 0921018692003-01-28IPC G11C11/00
記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921012132003-01-21IPC G11C11/00
具有毫微管電機記憶體之混合電路
奈特洛公司
案號 0921004532003-01-10IPC G11C11/00
用於可程式微電子裝置之程式電路與包含程式電路之系統及其形成方法
阿松科技股份有限公司
案號 0921000982003-01-03IPC G11C11/00
機電三層接合裝置
奈特洛公司
案號 0911375632002-12-27IPC G11C11/00
具有交叉耦接閂鎖感測放大器之電阻式交叉點記憶體晶胞陣列
惠普公司
案號 0911363002002-12-16IPC G11C11/00
排程化相位改變記憶體之方法與裝置
英特爾公司
案號 0911356812002-12-10IPC G11C11/00
高密度靜態隨機存取記憶體之偏壓技術
英特爾公司
案號 0911328952002-11-08IPC G11C11/00