IPC G11C11/02 專利列表
共 31 筆結果
磁性記憶裝置
東芝股份有限公司
案號 0911373342002-12-25IPC G11C11/02
用於磁性記憶體之導體結構
惠普公司
案號 0911370562002-12-23IPC G11C11/02
使用雙極接面電晶體之磁性隨機存取記憶體寫入方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911368772002-12-20IPC G11C11/02
具有電荷注入差動感測放大器之電阻性交叉點記憶體陣列
惠普公司
案號 0911369122002-12-20IPC G11C11/02
磁性隨機存取記憶體
東芝股份有限公司
案號 0911366452002-12-19IPC G11C11/02
用於具串聯二極體之磁性隨機存取記憶體的三重取樣感測技術
惠普公司
案號 0911363782002-12-17IPC G11C11/02
區段式寫入線架構
億恒科技公司
案號 0911361072002-12-13IPC G11C11/02
磁性隨機存取記憶體
東芝股份有限公司
案號 0911347852002-11-29IPC G11C11/02
磁性隨機存取記憶體及其讀取方法
東芝股份有限公司
案號 0911334942002-11-15IPC G11C11/02
具有使用參考單元之資料讀出操作的非揮發性記憶裝置及其資料讀出方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0911328742002-11-07IPC G11C11/02
具有晶片上自動判定最佳化寫入電流之方法和裝置的磁電阻式隨機存取記憶體（ＭＲＡＭ）
惠普公司
案號 0911327282002-11-06IPC G11C11/02