IPC G11C11/22 專利列表
共 16 筆結果
延長鐵電記憶體使用壽命之資料結構設計系統及方法
鴻海精密工業股份有限公司
案號 0931036952004-02-17IPC G11C11/22
鐵電電阻之不揮發性記憶體陣列
夏普股份有限公司
案號 0931010252004-01-15IPC G11C11/22
具有共用位元線之堆疊記憶體裝置及其製造方法
英特爾公司
案號 0921320392003-11-14IPC G11C11/22
時序調整電路及半導體記憶體裝置
富士通半導體股份有限公司
案號 0921209752003-07-31IPC G11C11/22
使用單一三端子非揮發性儲存元件之記憶體陣列
萬國商業機器公司
案號 0921208472003-07-30IPC G11C11/22
記憶體裝置、電路及用以操作記憶體裝置之方法
英特爾公司
案號 0921180932003-07-02IPC G11C11/22
鐵電非揮發性記憶體及鐵電非揮發性記憶體之讀取方法
西門特克斯公司
案號 0921123082003-05-06IPC G11C11/22
鐵電記憶體之過度驅動讀取方法及裝置
旺宏電子股份有限公司
案號 0921089882003-04-17IPC G11C11/22
記憶體可撓冗餘
億恆科技股份公司
案號 0921089752003-04-17IPC G11C11/22
鏈結記憶架構冗餘
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921088602003-04-16IPC G11C11/22
半導體裝置
富士通股份有限公司
案號 0921060932003-03-19IPC G11C11/22
鐵電記憶體中增加讀取信號
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921058402003-03-17IPC G11C11/22
位元線電容可最大化之鐵電記憶體
富士通股份有限公司
案號 0921032362003-02-17IPC G11C11/22
半導體記憶體裝置
富士通股份有限公司
案號 0921018772003-01-28IPC G11C11/22
邏輯運算電路及邏輯運算方法(二)
羅姆股份有限公司
案號 0921017372003-01-27IPC G11C11/22
用以抑制記憶體的電容器結構的印記之系統和方法
麥克隆科技公司
案號 0911359712002-12-12IPC G11C11/22