IPC G11C11/34 專利列表
共 63 筆結果
半導體記憶裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0931080822004-03-25IPC G11C11/34
適用於改良的壽命結束〈End-of-life〉讀取幅度的雙單元記憶體裝置操作的方法
美商英飛凌科技有限責任公司
案號 0931078922004-03-24IPC G11C11/34
非揮發性半導體記憶裝置及半導體積體電路裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0931076732004-03-22IPC G11C11/34
具有介於兩記憶塊之間的三個感測放大器的ＳＲＡＭ相容記憶體裝置
矽７股份有限公司
案號 0931076922004-03-22IPC G11C11/34
靜態隨機存取記憶體元件
宇晶科技股份有限公司
案號 0931070532004-03-17IPC G11C11/34
可執行具有分離的擷取和寫入作業週期之更新作業之ＳＲＡＭ相容記憶體裝置及其驅動方法
矽７股份有限公司
案號 0931048452004-02-25IPC G11C11/34
低漏電流之靜態隨機存儲記憶體
聯華電子股份有限公司
案號 0931048362004-02-25IPC G11C11/34
半導體記憶裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0931043022004-02-20IPC G11C11/34
半導體記憶元件
三星電子股份有限公司
案號 0931042022004-02-20IPC G11C11/34
高密度且不受貝他比影響之核心單元
亞提森元件公司
案號 0931010082004-01-15IPC G11C11/34
半導體積體電路及ＩＣ卡
瑞薩科技股份有限公司
案號 0931008982004-01-14IPC G11C11/34
用於增強高速資料存取中之再新操作的半導體記憶體裝置
海力士半導體股份有限公司
案號 0921374142003-12-30IPC G11C11/34
用於迅速地儲存資料於記憶胞中而無電壓損耗之方法及裝置
海力士半導體股份有限公司
案號 0921374152003-12-30IPC G11C11/34
雙埠半導體記憶裝置
三星電子股份有限公司
案號 0921369922003-12-26IPC G11C11/34
具有動態隨機存取記憶胞結構並以靜態隨機存取記憶體方式操作之半導體記憶裝置
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921361332003-12-19IPC G11C11/34
ＳＲＡＭ胞及使用其之記憶體積體電路
東芝股份有限公司
案號 0921355432003-12-16IPC G11C11/34
非揮發性記憶裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921324362003-11-19IPC G11C11/34
資訊記憶裝置及資訊處理系統
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921321722003-11-17IPC G11C11/34
半導體記憶裝置及半導體積體電路
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921311232003-11-06IPC G11C11/34
具有減少資料存取時間的半導體記憶體元件及操作此記憶體元件的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921298992003-10-28IPC G11C11/34