IPC G11C11/34 專利列表
共 63 筆結果
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921128382003-05-12IPC G11C11/34
使用金屬氧化物半導體相位選擇閘於相變記憶體之技術
歐凡尼克斯股份有限公司
案號 0921124272003-05-07IPC G11C11/34
半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921093132003-04-22IPC G11C11/34
半導體記憶元件及其操作方法以及半導體記憶體陣列
旺宏電子股份有限公司
案號 0921088952003-04-17IPC G11C11/34
動態隨機存取記憶單元與電路
華邦電子股份有限公司
案號 0921082182003-04-10IPC G11C11/34
以破壞性閱讀記憶體快取緩衝之破壞性閱讀隨機存取記憶體系統
萬國商業機器公司
案號 0921074982003-04-02IPC G11C11/34
半導體記憶裝置
松下電器產業股份有限公司
案號 0921062882003-03-21IPC G11C11/34
半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921058722003-03-18IPC G11C11/34
半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921051872003-03-11IPC G11C11/34
半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921045152003-03-04IPC G11C11/34
可程式之導體式隨機存取記憶體及其感測之方法
美光科技公司
案號 0921032812003-02-18IPC G11C11/34
具有超頻方式位元線感測放大器之半導體記憶裝置
日商鎧俠股份有限公司
案號 0921022332003-01-30IPC G11C11/34
具有減少佈局面積之記憶體裝置
三星電子股份有限公司
案號 0921016632003-01-27IPC G11C11/34
具有高冗餘救助率的非揮發性半導體記憶體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921015642003-01-24IPC G11C11/34
半導體記憶體
索思未來股份有限公司
案號 0921001932003-01-06IPC G11C11/34
半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921000272003-01-02IPC G11C11/34
用於高速資料存取之動態隨機存取記憶體(DRAM)
海力士半導體股份有限公司
案號 0911380022002-12-31IPC G11C11/34
二進一出讀取路徑之高速平面記憶體單元結構
義隆電子股份有限公司
案號 0911375912002-12-27IPC G11C11/34
具有假記憶胞之靜態半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0911371572002-12-24IPC G11C11/34
半密度唯讀記憶體內建之動態隨機存取記憶體
麥克隆科技公司
案號 0911355172002-12-09IPC G11C11/34