IPC G11C11/407 專利列表
共 28 筆結果
內部電壓產生電路
三星電子股份有限公司
案號 0931075152004-03-19IPC G11C11/4074
時脈同步式半導體記憶裝置
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0931056862004-03-04IPC G11C11/407
用於合併多重複熔絲還原串列位元流以支持輔助性複熔絲熔斷力之方法及系統
萬國商業機器公司
案號 0931001662004-01-05IPC G11C11/407
具有標記方塊以用於降低初始化時間之半導體記憶體裝置
海力士半導體股份有限公司
案號 0921374122003-12-30IPC G11C11/4072
半導體記憶裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921365992003-12-23IPC G11C11/407
半導體積體電路裝置
松下電器產業股份有限公司
案號 0921335122003-11-28IPC G11C11/407
在動態隨機存取記憶體的更新時脈中檢測與修正錯誤之方法與裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921310012003-11-05IPC G11C11/4078
時間延遲裝置及其使用方法
荷爾實驗室有限公司
案號 0921261062003-09-22IPC G11C11/4076
具工作週期校正電路及內插時脈訊號的內插電路之半導體記憶裝置
三星電子股份有限公司
案號 0921243512003-09-03IPC G11C11/407
半導體記憶體及其控制方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921239372003-08-29IPC G11C11/407
低功率高性能儲存電路及相關方法
美國加利福尼亞大學董事會
案號 0921221092003-08-12IPC G11C11/407
半導體記憶裝置以及在半導體記憶裝置中記憶資訊的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921172402003-06-25IPC G11C11/407
延遲電路之方法及裝置
美光科技股份有限公司
案號 0921159692003-06-12IPC G11C11/4076
記憶體內建自測電路
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921133912003-05-16IPC G11C11/4078
半導體記憶裝置
松下電器產業股份有限公司
案號 0921094222003-04-23IPC G11C11/4074
隨著記憶電容之電容值改變之更新時脈產生裝置以及方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921088882003-04-17IPC G11C11/4076
適應式控制動態隨機存取記憶體之更新間隔的方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921088862003-04-17IPC G11C11/4072
半導體電路裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921086392003-04-15IPC G11C11/407
半導體記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921069142003-03-27IPC G11C11/407
具有前同步信號功能之半導體記憶裝置
三星電子股份有限公司
案號 0921066392003-03-25IPC G11C11/407