IP

IPC G11C11/409 專利列表

共 16 筆結果

靜態隨機存取記憶體之輸出裝置

威盛電子股份有限公司

案號 0931034842004-02-13IPC G11C11/4096

半導體記憶體裝置,其具有先進的資料閃控電路

海力士半導體股份有限公司

案號 0921373162003-12-29IPC G11C11/4096

動態隨機存取記憶體之輸出驅動強度校正電路及方法

威盛電子股份有限公司

案號 0921310362003-11-06IPC G11C11/4093

靜態隨機存取記憶體之輸出裝置

威盛電子股份有限公司

案號 0921302332003-10-30IPC G11C11/4091

靜態隨機存取記憶體之輸出裝置

威盛電子股份有限公司

案號 0921267612003-09-26IPC G11C11/4093

低功率之靜態隨機存取記憶體單胞

國立臺灣大學

案號 0921264072003-09-24IPC G11C11/409

準確讀取記憶體操作用之電路

賽普拉斯半導體公司

案號 0921242942003-09-03IPC G11C11/409

用於動態隨機存取記憶體感測放大器中之偏壓感測的動態隨機存取記憶體,裝置,方法及系統

美光科技公司

案號 0921239642003-08-29IPC G11C11/4091

半導體記憶體

富士通股份有限公司

案號 0921202402003-07-24IPC G11C11/409

半導體記憶裝置

NEC電子股份有限公司

案號 0921185782003-07-08IPC G11C11/409

半導體記憶體裝置及其控制方法

PS4盧克斯科公司

案號 0921139862003-05-23IPC G11C11/409

具備非存取時減低消耗電能之機能的半導體記憶裝置

三菱電機股份有限公司

案號 0921078712003-04-07IPC G11C11/4091

單一位元線半導體記憶元件之感測電路

聯發科技股份有限公司

案號 0921064112003-03-21IPC G11C11/4091

具冗餘之動態隨機存取記憶體之扭曲位元線補償

三星電子股份有限公司

案號 0911376942002-12-27IPC G11C11/4091

半導體記憶體裝置之控制方法及半導體記憶體裝置

索思未來股份有限公司

案號 0911339752002-11-21IPC G11C11/409

半導體記憶裝置

海力士半導體股份有限公司

案號 0911326632002-11-06IPC G11C11/4091

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。