IPC G11C11/41 專利列表
共 23 筆結果
具備靜態型記憶胞之半導體記憶裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0931072382004-03-18IPC G11C11/417
靜態隨機存取記憶體
恩智浦股份有限公司
案號 0931062442004-03-09IPC G11C11/41
具有單端寫入電路之儲存電路及其寫入方法
恩智浦美國公司
案號 0921312612003-11-07IPC G11C11/412
可控制電源線及／或接地線之電壓準位之半導體記憶裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921291012003-10-21IPC G11C11/419
記憶裝置、移動向量之檢測裝置及檢測方法
新力股份有限公司
案號 0921285712003-10-15IPC G11C11/41
具有被限制在部分電壓擺幅之通用位元線的半導體記憶元件
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921272812003-10-02IPC G11C11/419
半導體記憶裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921255862003-09-17IPC G11C11/417
脈衝產生電路及設有此電路之半導體裝置
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921241262003-09-01IPC G11C11/41
產生模式暫存器集編碼之電路及方法
三星電子股份有限公司
案號 0921233012003-08-25IPC G11C11/4193
半導體記憶裝置及其控制方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921223802003-08-14IPC G11C11/41
靜態半導體記憶體裝置及其控制方法
富士通微電子股份有限公司
案號 0921209822003-07-31IPC G11C11/413
匯流排介面電路及接收電路
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921196112003-07-18IPC G11C11/416
其內部產生讀取內部資料之時序的半導體記憶裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921180332003-07-02IPC G11C11/417
半導體記憶裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921155212003-06-09IPC G11C11/41
低電壓、低功率的高速快閃記憶體的寫入操作方式
莊紹勳
案號 0921057332003-04-11IPC G11C11/4193
半導體記憶裝置
松下電器產業股份有限公司
案號 0921075292003-04-02IPC G11C11/413
半導體記憶體
索思未來股份有限公司
案號 0921055062003-03-13IPC G11C11/413
電壓提昇電路及靜態隨機存取記憶體
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921019322003-01-29IPC G11C11/413
半導體積體電路裝置
日立製作所股份有限公司
案號 0911365522002-12-18IPC G11C11/413
高可靠性且低功耗的靜態選擇電路
中穎電子股份有限公司
案號 0911359452002-12-12IPC G11C11/4193