IPC G11C16/02 專利列表
共 37 筆結果
非揮發性記憶體之雙參考晶胞感應架構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921159552003-06-12IPC G11C16/02
半導體記錄裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921076612003-04-03IPC G11C16/02
使用雙動態參考之用於多位元快閃讀取之系統和方法
賽普拉斯半導體公司
案號 0921070772003-03-28IPC G11C16/02
演算動態參考程式化之方法
賽普拉斯半導體公司
案號 0921070702003-03-28IPC G11C16/02
非揮發性記憶胞陣列之操作方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921067462003-03-26IPC G11C16/02
多層快閃記憶體之部份頁程式結構
賽普拉斯半導體公司
案號 0921027192003-02-11IPC G11C16/02
窄化起始電壓分佈之方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921021472003-01-30IPC G11C16/02
非揮發性記憶體，ＩＣ卡及資料處理裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921011252003-01-20IPC G11C16/02
「反及」快閃記憶體與抹除，程式化之方法，及其反向複製之程式化
三星電子股份有限公司
案號 0921005042003-01-10IPC G11C16/02
於記憶體裝置中用於軟程式化驗證之方法與裝置
賽普拉斯半導體公司
案號 0921003832003-01-09IPC G11C16/02
用於具有鄰近位元預先充電之快閃EPROM陣列之虛擬接地讀取之源極側感測架構
賽普拉斯半導體公司
案號 0921002972003-01-08IPC G11C16/02
藉由將電荷阻陷於絕緣薄膜以儲存資訊之非揮發性記憶裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0911358762002-12-11IPC G11C16/02
不揮發性記憶裝置
日立製作所股份有限公司
案號 0911355762002-12-09IPC G11C16/02
以狹域和全域位元線所實現的快閃記憶體陣列
麥克隆科技公司
案號 0911355182002-12-09IPC G11C16/02
快閃記憶體裝置
海力士半導體股份有限公司
案號 0911326602002-11-06IPC G11C16/02
半導體裝置及資料處理器
日立製作所股份有限公司
案號 0911327132002-11-06IPC G11C16/02
具有可擦式│數元之電可擦除可程式規劃記憶器之半導體裝置
恩智浦股份有限公司
案號 0911322602002-10-31IPC G11C16/02