IPC G11C16/06 專利列表
共 22 筆結果
具有埋入式浮閘、尖頭浮閘及尖頭通道區之浮閘記憶體晶胞之半導體記憶體陣列
希里康儲存技術公司
案號 0931033242004-02-12IPC G11C16/06
具有大抹除區塊儲存循環數之非揮發性半導體記憶體及其操作方法
美商西方數位科技公司
案號 0931010542004-01-15IPC G11C16/06
適用於低電壓製程之電荷幫浦電路
國立交通大學
案號 0931000842004-01-02IPC G11C16/06
磁性隨機存取記憶體之鐵磁共振轉換
萬國商業機器公司
案號 0931000492004-01-02IPC G11C16/06
讀取快閃記憶體單元之方法，「反及」型快閃記憶體裝置及「反或」型快閃記憶體裝置
海力士半導體股份有限公司
案號 0921372922003-12-29IPC G11C16/06
非揮發性半導體記憶裝置
三星電子股份有限公司
案號 0921343522003-12-05IPC G11C16/06
非揮發性記憶裝置
茲諾傑尼克發展有限責任公司
案號 0921343512003-12-05IPC G11C16/06
半導體記憶裝置及記憶胞之寫入及刪除方法
茲諾傑尼克發展有限責任公司
案號 0921342002003-12-04IPC G11C16/06
半導體記憶裝置及記憶胞之記憶資料修正方法
ＩＩＩ控股１０有限責任公司
案號 0921342052003-12-04IPC G11C16/06
在浮動與控制閘極之間具有增加耦合之快閃記憶體陣列及其製造方法
桑迪士克科技公司
案號 0921284612003-10-13IPC G11C16/06
利用ＮＭＯＳ及ＰＭＯＳ列解碼方案之具有頁模式擦除之快閃記憶體架構
愛特梅爾公司
案號 0921272892003-10-02IPC G11C16/06
具有改進感測之非揮發性記憶體及方法
桑迪士克科技公司
案號 0921263612003-09-24IPC G11C16/06
可防止因干擾累積造成資料變化之半導體記憶裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921220712003-08-12IPC G11C16/06
連接到序列先進技術附件排線之非揮發性半導體記憶元件
三星電子股份有限公司
案號 0921219472003-08-11IPC G11C16/06
半導體裝置及使用其之記憶卡
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921219072003-08-08IPC G11C16/06
非揮發性記憶裝置
日立製作所股份有限公司
案號 0921207112003-07-29IPC G11C16/06
應用同一驅動電壓輸出電路於複數個字元線驅動電路的快閃記憶體
聯笙電子股份有限公司
案號 0921195712003-07-17IPC G11C16/06
升壓電路
海力士半導體股份有限公司
案號 0921188742003-07-10IPC G11C16/06
內裝自動測試功能之快閃記憶單元
高級微裝置公司
案號 0921184402003-07-07IPC G11C16/06
半導體記憶體裝置
泰勒曼基金九有限責任公司
案號 0921179902003-07-01IPC G11C16/06