IPC G11C8/00 專利列表
共 14 筆結果
雙資料速率同步動態隨機存取記憶體之半導體裝置
三星電子股份有限公司
案號 0931057132004-03-04IPC G11C8/00
記憶體裝置之低面積自定時系統及方法
ＡＲＭ公司
案號 0931010102004-01-15IPC G11C8/00
同步半導體記憶體裝置之資料輸入單元及使用該單元之資料輸入方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921372912003-12-29IPC G11C8/00
透過模組暫存器之主動式終接器之控制
麥克隆科技公司
案號 0921321162003-11-17IPC G11C8/00
改變半導體記憶裝置中分頁長度之電路及方法
三星電子股份有限公司
案號 0921312362003-11-07IPC G11C8/00
位址解碼
英特爾公司
案號 0921227432003-08-19IPC G11C8/00
具有轉移備用電路之半導體記憶元件
三星電子股份有限公司
案號 0921216022003-08-07IPC G11C8/00
存取電路
三洋電機股份有限公司
案號 0921193582003-07-16IPC G11C8/00
多模式資料緩衝器及用於控制傳輸延遲時間之方法
三星電子股份有限公司
案號 0921123452003-05-06IPC G11C8/00
最大化動態隨機存取記憶體記憶體頻寬之方法和系統
英特爾公司
案號 0921059052003-03-18IPC G11C8/00
與位元組織無關具有固定資料輸出時間之同步半導體元件，以及調整資料輸出時間之方法
三星電子股份有限公司
案號 0921057472003-03-17IPC G11C8/00
非揮發性半導體記憶體晶片之控制方法
日立製作所股份有限公司
案號 0911323712002-11-01IPC G11C8/00
具波形管線結構之擴展操作頻率同步半導體記憶體裝置及其波形管線控制方法
三星電子股份有限公司
案號 0911321542002-10-30IPC G11C8/00
對固態記憶體產生位址組態之方法
三星電子股份有限公司
案號 0911321022002-10-29IPC G11C8/00