IPC H01L21/18 專利列表
共 9 筆結果
半導體裝置及其製造方法
東芝記憶體股份有限公司
案號 0931067362004-03-12IPC H01L21/18
形成多晶矽鍺層的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0931012722004-01-16IPC H01L21/18
磷化硼系化合物半導體元件，及其製造方法，以及發光二極體
昭和電工股份有限公司
案號 0921336042003-11-28IPC H01L21/18
磷化硼系化合物半導體元件、及其製造方法、以及發光二極體
昭和電工股份有限公司
案號 0921329412003-11-24IPC H01L21/18
具有升高之源極／汲極結構的半導體裝置及其製造方法
富士通股份有限公司
案號 0921223812003-08-14IPC H01L21/18
具有記憶體區域與週邊區域之半導體記憶體裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921183572003-07-04IPC H01L21/18
供製造一種包含單晶半導體材料之有用層之改善品質之基板之方法
斯歐埃技術公司
案號 0921156162003-06-10IPC H01L21/18
鐵磁性ＩＶ族系半導體、鐵磁性ＩＩＩ-Ｖ族系化合物半導體或鐵磁性ＩＩ-ＶＩ族系化合物半導體，及此等半導體之鐵磁性的調整方法
獨立行政法人科學技術振興機構
案號 0921153032003-06-05IPC H01L21/18
矽半導體晶圓，及同時製造許多半導體晶圓之方法
世創電子材料公司
案號 0911353442002-12-05IPC H01L21/18