IP

IPC H01L21/3215 專利列表

共 2 筆結果

氮化穿隧氧化層的形成方法

旺宏電子股份有限公司

案號 0921298722003-10-28IPC H01L21/3215

半導體裝置及半導體裝置之製造方法

新力股份有限公司

案號 0921246222003-09-05IPC H01L21/3215

本站使用 Cookie 進行流量分析，以提供更好的使用體驗。