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IPC H01L27/092 專利列表

共 4 筆結果

半導體晶片和積體電路晶片以及形成具有完全矽化結構之半導體元件和形成具有完全矽化之閘電極的電晶體之方法

台灣積體電路製造股份有限公司

案號 0931038632004-02-18IPC H01L27/092

製造互補金屬氧化物半導體（ＣＭＯＳ）元件之方法

富士通半導體股份有限公司

案號 0921363942003-12-22IPC H01L27/092

半導體裝置之製造方法及半導體裝置

瑞薩電子股份有限公司

案號 0921296412003-10-24IPC H01L27/092

半導體裝置

瑞薩電子股份有限公司

案號 0921082132003-04-10IPC H01L27/092

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