IPC H01L29/06 專利列表
共 9 筆結果
微電子之雙應變狀態矽鍺層
萬國商業機器公司
案號 0931056872004-03-04IPC H01L29/06
碳化矽裝置中之多重浮動護環邊緣端點及製造包含該邊緣端點的碳化矽之方法
美商沃孚半導體有限公司
案號 0931002552004-01-06IPC H01L29/06
主要含氮化鎵之裝置及製造方法
昂科公司
案號 0921341952003-12-04IPC H01L29/06
半導體裝置以及其製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921330792003-11-25IPC H01L29/06
微細Ｔ型電極之製造方法
富士通股份有限公司
案號 0921214582003-08-06IPC H01L29/06
跨導電容濾波器縮減面積之方法
聯發科技股份有限公司
案號 0921152942003-06-05IPC H01L29/06
具有負荷電阻器之半導體裝置及製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921053222003-03-12IPC H01L29/06
使用具多結晶半導體層之電晶體之圖像顯示裝置及其製造方法
日立顯示器股份有限公司
案號 0921007722003-01-15IPC H01L29/06
電荷泵裝置
三洋電機股份有限公司
案號 0911357912002-12-11IPC H01L29/06