IPC H01L29/10 專利列表
共 5 筆結果
三閘極與閘極環繞之金屬氧化半導體場效應電晶體裝置及其製造方法
高級微裝置公司
案號 0931015162004-01-20IPC H01L29/10
單一電晶體動態隨機存取記憶體單元架構及其形成方法
ＩＩＩ控股１２有限責任公司
案號 0921281102003-10-09IPC H01L29/10
電路裝置及其形成方法
英特爾公司
案號 0921268282003-09-29IPC H01L29/10
半導體裝置及形成方法
飛思卡爾半導體公司
案號 0921215062003-08-06IPC H01L29/10
Ｐ型場效電晶體之高溫製程相容的金屬閘極及製造方法
萬國商業機器公司
案號 0911329602002-11-08IPC H01L29/10