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IPC H01L29/16 專利列表

共 3 筆結果

製造半導體裝置之方法

海力士半導體股份有限公司

案號 0921359652003-12-18IPC H01L29/16

用於積體電路之富矽低熱預算之氮化矽

美商貝爾半導體公司

案號 0921263502003-09-24IPC H01L29/167

應變平衡氮化物異質接面電晶體及製造該等電晶體之方法

美商沃孚半導體有限公司

案號 0911347762002-11-29IPC H01L29/165

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