IP

IPC H01L29/49 專利列表

共 1 筆結果

具有凸起接面區之Ｐ型金屬氧化物半導體電晶體應變的最佳化

英特爾股份有限公司

案號 0921358492003-12-17IPC H01L29/49

本站使用 Cookie 進行流量分析，以提供更好的使用體驗。