IPC H01L29/861 專利列表
共 8 筆結果
半導體裝置及其製造方法
恩智浦股份有限公司
案號 0931034892004-02-13IPC H01L29/861
低電容靜電放電保護二極體
英特爾公司
案號 0921350782003-12-11IPC H01L29/861
全方向一維光子晶體及由其製造的發光裝置
英屬維京群島商分子尼奧科技股份有限公司
案號 0921318182003-11-13IPC H01L29/861
二極體結構與串聯式二極體結構
聯華電子股份有限公司
案號 0921314792003-11-11IPC H01L29/861
半導體裝置及其製造方法
羅伯特博斯奇股份有限公司
案號 0921258812003-09-19IPC H01L29/861
半導體元件及其製造方法
三墾電氣股份有限公司
案號 0921051392003-03-07IPC H01L29/861
具有ｐｎ過渡區的半導體裝置及製造半導體裝置的方法
羅伯特博斯奇股份有限公司
案號 0911344392002-11-27IPC H01L29/861
用於保護驅動電感性負載元件之二極體裝置
恆億科技股份有限公司
案號 0911323492002-10-31IPC H01L29/861