IPC H01L29/872 專利列表
共 7 筆結果
具有高崩潰電壓及低逆向漏電流的蕭特基二極體
竹懋科技股份有限公司
案號 0931078282004-03-23IPC H01L29/872
局部氧化矽蕭特基屏障接觸結構及其製造方法
矽基科技股份有限公司
案號 0931067972004-03-15IPC H01L29/872
自動對準蕭特基屏障接觸結構及其製造方法
矽基科技股份有限公司
案號 0931065872004-03-12IPC H01L29/872
具蕭特基二極體之溝渠式功率電晶體的製造方法
富鼎先進電子股份有限公司
案號 0921241372003-09-01IPC H01L29/872
蕭特基二極體結構及其製造方法
竹懋科技股份有限公司
案號 0921211852003-08-01IPC H01L29/872
具有更快速反向恢復時間之合併式Ｐ／Ｎ接面及肖特基接面二極體結構及其製造方法
台灣通用器材股份有限公司
案號 0921196772003-07-18IPC H01L29/872
溝渠肖特基勢壘（ＳＣＨＯＴＴＫＹ ＢＡＲＲＩＥＲ）式二極體
美商英飛凌科技美洲公司
案號 0921187342003-07-09IPC H01L29/872