IPC H01S5/18 專利列表
共 18 筆結果
反饋敏感性已降低之半導體雷射
歐斯朗奧托半導體股份有限公司
案號 0931074762004-03-19IPC H01S5/18
具改良直線性之有機雷射
柯達公司
案號 0921365842003-12-23IPC H01S5/183
包含一互補金氧半導體垂直共振腔面射型雷射驅動器及一高性能光偵測器與互補金氧半導體光接收器的高速資料通道
萬國商業機器公司
案號 0921300382003-10-29IPC H01S5/183
面射型雷射及其製造方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921278462003-10-07IPC H01S5/183
垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法
國立中興大學
案號 0921268792003-09-29IPC H01S5/183
具有有機活性區之有機垂直腔雷射裝置
柯達公司
案號 0921234812003-08-26IPC H01S5/183
表面發射式半導體雷射晶片及其製造方法
歐斯朗奧托半導體股份有限公司
案號 0921206452003-07-29IPC H01S5/183
陣列式單橫模面射型雷射元件及其製造方法
和心光通科技股份有限公司
案號 0921206112003-07-29IPC H01S5/183
長波長垂直腔表面射出雷射之底面鏡
斐尼莎公司
案號 0921036492003-02-21IPC H01S5/183
無銦之垂直腔面射型雷射
斐尼莎公司
案號 0911374832002-12-26IPC H01S5/183
具備氧化物限制層內有增益導引孔之垂直腔面射型雷射
斐尼莎公司
案號 0911374782002-12-26IPC H01S5/183
使用深的元素陷阱之垂直腔面射型雷射（ＶＣＳＥＬＳ）之電流限制、電容減低及隔離
斐尼莎公司
案號 0911374752002-12-26IPC H01S5/183
垂直腔表面發射雷射和偵測器的安裝架
斐尼莎公司
案號 0911374702002-12-26IPC H01S5/183
氧化物垂直共振腔面射型雷射中之增益導向佈植
斐尼莎公司
案號 0911371262002-12-24IPC H01S5/183
於活性區域中含有銦之垂直共振腔面射型雷射
斐尼莎公司
案號 0911366482002-12-19IPC H01S5/183
活化區含銦、銻及氮之垂直腔面射型雷射
斐尼莎公司
案號 0911366812002-12-19IPC H01S5/183
於活性區域中含有銦及氮之垂直共振腔面射型雷射
斐尼莎公司
案號 0911366722002-12-19IPC H01S5/183
具有增益或吸收光柵之相偏移表面放射ＤＦＢ雷射結構
奈米光學公司
案號 0911359942002-12-12IPC H01S5/18