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在磁阻隨機存取記憶體裝置中低功率程式化之窄空隙包層場效應加強

艾爾斯賓科技公司

申請案號
091132400
公告號
200301551
申請日期
2002-11-01
申請人
艾爾斯賓科技公司
發明人
尼可拉斯D 里佐
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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在磁阻隨機存取記憶體裝置中低功率程式化之窄空隙包層場效應加強 - 專利資訊 | NowTo 智財通