IPC H01L21/8239 專利列表
共 58 筆結果
雙向讀取／規劃非依電性浮動閘極記憶體晶胞及其陣列與製造方法
希里康儲存技術公司
案號 0931083902004-03-26IPC H01L21/8239
具有形成於腔穴中之浮動閘極之非依電性浮動閘極記憶體晶胞及其陣列、與製造方法
希里康儲存技術公司
案號 0931083712004-03-26IPC H01L21/8239
製造奈米尺寸電阻交叉點記憶體陣列及裝置之方法
茲諾傑尼克發展有限責任公司
案號 0931070962004-03-17IPC H01L21/8239
磁性記憶單元接合面及形成磁性記憶單元接合面之方法
矽磁系統公司
案號 0931054232004-03-02IPC H01L21/8239
磁阻式隨機存取記憶體的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931050822004-02-27IPC H01L21/8239
用於電阻式隨機存取記憶體應用之銥基底上鐠鈣錳氧化物薄膜低溫處理
茲諾傑尼克發展有限責任公司
案號 0931044712004-02-23IPC H01L21/8239
記憶體的製造方法及其靜電放電保護電路
旺宏電子股份有限公司
案號 0931038692004-02-18IPC H01L21/8239
具有自旋相關傳遞特性的場效電晶體以及使用此電晶體之非揮發性記憶體
獨立行政法人科學技術振興機構
案號 0931017002004-01-27IPC H01L21/8239
形成非揮發性記憶胞的方法及有此記憶胞之記憶陣列
旺宏電子股份有限公司
案號 0931006442004-01-12IPC H01L21/8239
鐵電電容器之包封法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921370832003-12-26IPC H01L21/8239
製造鐵電隨機存取記憶體的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921361412003-12-19IPC H01L21/8239
半導體裝置及用於製造半導體裝置電容器的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921343442003-12-05IPC H01L21/8239
浮置閘極的形成方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921341472003-12-04IPC H01L21/8239
鐵電隨機存取記憶體電容器及其製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921331462003-11-26IPC H01L21/8239
快閃記憶體裝置的製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921256942003-09-18IPC H01L21/8239
電容器結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921249372003-09-09IPC H01L21/8239
積體半導體電路之製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921247912003-09-08IPC H01L21/8239
具有側壁閘結構及ＳＯＮＯＳ記憶胞結構之非揮發性記憶元件的製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921240712003-09-01IPC H01L21/8239
具有凹陷閘電極之半導體元件整合方法
三星電子股份有限公司
案號 0921238662003-08-29IPC H01L21/8239
非揮發性記憶體及其製造方法
長遼控股責任有限公司
案號 0921221812003-08-12IPC H01L21/8239