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專利資訊
製造五氧化二鉭│鋁氧化物薄膜之方法及使用該薄膜之半導體裝置
海力士半導體股份有限公司
申請案號
091133023
公告號
200407454
申請日期
2002-11-11
申請人
海力士半導體股份有限公司
發明人
朱光喆
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
C23C16/06
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