IP

製造五氧化二鉭│鋁氧化物薄膜之方法及使用該薄膜之半導體裝置

海力士半導體股份有限公司

申請案號
091133023
公告號
200407454
申請日期
2002-11-11
申請人
海力士半導體股份有限公司
發明人
朱光喆
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

製造五氧化二鉭│鋁氧化物薄膜之方法及使用該薄膜之半導體裝置 - 專利資訊 | NowTo 智財通