IPC C23C16/06 專利列表
共 12 筆結果
用於沉積金屬氧化物層或薄膜的先質
辛格瑪艾瑞契公司
案號 0931072212004-03-17IPC C23C16/06
可用於半導體加工中之羧酸鈦膜
依凱希科技公司
案號 0931046222004-02-24IPC C23C16/06
形成含Ｔａ２Ｏ５層之方法
美光科技公司
案號 0931023922004-02-03IPC C23C16/06
經由金屬有機化學蒸氣沉積法（ＭＯＣＶＤ）使金屬氧化物薄膜沉積之方法
茲諾傑尼克發展有限責任公司
案號 0921334142003-11-27IPC C23C16/06
用於高溫腐蝕保護之細薄黏附性金屬氧化物塗層的熱液澱積
賓夕凡尼西亞州研究基金會
案號 0921315832003-11-11IPC C23C16/06
釕化合物及金屬釕膜之製造方法
ＪＳＲ股份有限公司
案號 0921270442003-09-30IPC C23C16/06
用於ＣＶＤ方法之鋯錯合物及使用彼來製備薄膜的方法
沙斯格特斯有限公司
案號 0921196802003-07-18IPC C23C16/06
機械澱積法
烏明克公司
案號 0921128452003-05-12IPC C23C16/06
利用甲酸銅錯合物之銅沉積
杜邦股份有限公司
案號 0911361212002-12-13IPC C23C16/06
具耐折性之電解銅箔的製造方法
財團法人工業技術研究院
案號 0911350582002-12-03IPC C23C16/06
銅導線置換沉積之除氧方法
逢甲大學
案號 0911340272002-11-22IPC C23C16/06
製造五氧化二鉭│鋁氧化物薄膜之方法及使用該薄膜之半導體裝置
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330232002-11-11IPC C23C16/06