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專利資訊
具有低寄生電阻之溝槽式金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)裝置的形成方法
通用半導體股份有限公司
申請案號
091133746
公告號
200300587
申請日期
2002-11-19
申請人
通用半導體股份有限公司
發明人
薛峰葉
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/336
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