IPC H01L21/336 專利列表
共 42 筆結果
半導體元件、累積模式多重閘電晶體及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931079002004-03-24IPC H01L21/336
金氧半導體場效電晶體之功率電晶體及其方法
維藍科技責任有限公司
案號 0931064782004-03-11IPC H01L21/336
透過補償氮不均勻性形成氧化物／氮化物層疊之方法
高級微裝置公司
案號 0931038732004-02-18IPC H01L21/336
半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0931031842004-02-11IPC H01L21/336
製造半導體裝置之方法及經由此方法所得到之半導體裝置
恩智浦股份有限公司
案號 0931021682004-01-30IPC H01L21/336
用於直流對直流變換器應用之溝槽式金氧半場效電晶體技術
美商英飛凌科技美洲公司
案號 0931019812004-01-29IPC H01L21/336
微小線寬金屬矽化物及其製作方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931011462004-01-16IPC H01L21/336
場效應電晶體閘極結構之次微影製造方法、其場效應電晶體、其反向器及其反向器結構
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921349412003-12-10IPC H01L21/336
含有摻雜高電介係數側壁間隔件之場效電晶體之汲極／源極延伸結構
格羅方德半導體公司
案號 0921328642003-11-24IPC H01L21/336
金氧半電晶體之結構以及其形成方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921320722003-11-14IPC H01L21/336
一種次微米Ｔ型雙次閘極蝕刻的製作方法
國立中央大學
案號 0921316012003-11-11IPC H01L21/336
在半導體裝置以犧牲氧化物形成金屬鑲嵌閘極之方法
高級微裝置公司
案號 0921313752003-11-10IPC H01L21/336
平板狀光源裝置、液晶顯示裝置、以及顯示裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921307392003-11-04IPC H01L21/336
半導體組件及其製造方法
格羅方德半導體公司
案號 0921301932003-10-30IPC H01L21/336
在含有摻雜矽之半導體區域內形成鎳矽化物領域之方法
高級微裝置公司
案號 0921301952003-10-30IPC H01L21/336
具有以阻障擴散材料穩定熱特性之金屬矽化物區域之電路元件
高級微裝置公司
案號 0921267812003-09-29IPC H01L21/336
含薄膜電晶體之電子裝置的製造方法
皇家飛利浦電子股份有限公司
案號 0921263302003-09-24IPC H01L21/336
具低閘極電容之溝渠式功率電晶體的製造方法
富鼎先進電子股份有限公司
案號 0921247822003-09-08IPC H01L21/336
半導體組件及其製造方法
高級微裝置公司
案號 0921238912003-08-29IPC H01L21/336
半導體裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921207582003-07-30IPC H01L21/336