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在積體電路之橫向金氧半場效電晶體結構中分離區域之自我對準

因特希爾公司

申請案號
091133843
公告號
200303602
申請日期
2002-11-20
申請人
因特希爾公司
發明人
詹姆士Ｄ　畢森
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/8238
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在積體電路之橫向金氧半場效電晶體結構中分離區域之自我對準 - 專利資訊 | NowTo 智財通