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具有高介電常數穿隧介電層之唯讀記憶體的結構與製造方法
旺宏電子股份有限公司
申請案號
091134415
公告號
200409299
申請日期
2002-11-27
申請人
旺宏電子股份有限公司
發明人
張國華
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/8246
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具有高介電常數穿隧介電層之唯讀記憶體的結構與製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通