IPC H01L21/8246 專利列表
共 48 筆結果
遮罩式唯讀記憶體及其製造方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0931067462004-03-12IPC H01L21/8246
具有突出部分的浮動閘極式非揮發性記憶體
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0931033132004-02-12IPC H01L21/8246
記憶元件與記憶元件的記憶胞編程方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921372632003-12-29IPC H01L21/8246
在半導體製程中避免多晶矽縱樑形成之半導體結構
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921308132003-11-04IPC H01L21/8246
光罩式唯讀記憶體之資料寫入方式
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921307922003-11-04IPC H01L21/8246
調整記憶體單元臨界電壓之方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921301792003-10-30IPC H01L21/8246
氮化物唯讀記憶體之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921297332003-10-27IPC H01L21/8246
預留位元線接觸窗開口的製作方式
南亞科技股份有限公司
案號 0921278622003-10-07IPC H01L21/8246
唯讀記憶元件編碼中控制植入劑量之方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921249502003-09-09IPC H01L21/8246
唯讀記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921223472003-08-14IPC H01L21/8246
ＳＯＮＯＳ記憶體胞元之製造方法、ＳＯＮＯＳ記憶體胞元及記憶體胞元場
億恆科技股份公司
案號 0921210712003-07-31IPC H01L21/8246
具二極體記憶胞光罩式唯讀記憶體之製作方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921203632003-07-25IPC H01L21/8246
ＮＡＮＤ型雙位元氮化物唯讀記憶體及製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921190862003-07-11IPC H01L21/8246
增進氮化矽唯讀記憶體之記憶胞保持力的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921175512003-06-27IPC H01L21/8246
唯讀記憶單元及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921173752003-06-26IPC H01L21/8246
具有二多晶矽層之嵌入式非揮發性記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921173292003-06-25IPC H01L21/8246
半導體裝置及其製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0921168522003-06-20IPC H01L21/8246
積體電路之陣列結構的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921164552003-06-17IPC H01L21/8246
唯讀記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921158082003-06-11IPC H01L21/8246
抑制虛設胞過度抹除的方法與裝置
旺宏電子股份有限公司
案號 0921153672003-06-06IPC H01L21/8246