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專利資訊
雙閘極氧化物高壓半導體裝置及其形成方法
恩智浦股份有限公司
申請案號
091134606
公告號
200409357
申請日期
2002-11-28
申請人
恩智浦股份有限公司
發明人
帝歐朵爾 詹姆士 利塔維克
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L29/70
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