IP

雙閘極氧化物高壓半導體裝置及其形成方法

恩智浦股份有限公司

申請案號
091134606
公告號
200409357
申請日期
2002-11-28
申請人
恩智浦股份有限公司
發明人
帝歐朵爾 詹姆士 利塔維克
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

雙閘極氧化物高壓半導體裝置及其形成方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通