IPC H01L29/70 專利列表
共 14 筆結果
具作為次集極之主要載子累積層的雙極型電晶體
美商格芯（美國）集成電路科技有限公司
案號 0921303252003-10-30IPC H01L29/70
一種製作雙載子電晶體的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921291872003-10-21IPC H01L29/70
高增益雙極性電晶體
新港費柏有限責任公司
案號 0921261082003-09-22IPC H01L29/70
奈米級半導體元件及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921238062003-08-28IPC H01L29/70
半導體裝置
新力股份有限公司
案號 0921206952003-07-29IPC H01L29/70
基極中具有固定能帶間隙的分級基極能帶間隙雙載子電晶體
萬國商業機器公司
案號 0921202792003-07-24IPC H01L29/70
Ｐ型半導體元件、Ｐ型金氧半導場效電晶體及雙閘極氧化物層之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921173722003-06-26IPC H01L29/70
半導體元件及其製造方法，稽納二極體，消費性電子產品
飛柏科技有限公司
案號 0921078932003-04-07IPC H01L29/70
具分級基極層的雙極電晶體
美商ＩＱＥ ＫＣ有限公司
案號 0921073632003-04-01IPC H01L29/70
多端子型金屬氧化物半導體變容二極管
夏普股份有限公司
案號 0921012352003-01-21IPC H01L29/70
槽狀閘極絕緣閘雙極性電晶體的結構與製作方法
國立彰化師範大學
案號 0911375582002-12-23IPC H01L29/70
異質双極電晶體
松下電器產業股份有限公司
案號 0911358602002-12-11IPC H01L29/70
雙閘極氧化物高壓半導體裝置及其形成方法
恩智浦股份有限公司
案號 0911346062002-11-28IPC H01L29/70
自動對準之密集雙極接面電晶體佈置及製造其之方法
英特爾公司
案號 0911342752002-11-26IPC H01L29/70