IP
NowTo 智財通
EN
首頁
/
專利資訊
形成可降低漏電流之電子式程式化唯讀記憶體的方法
力旺電子股份有限公司
申請案號
091135339
公告號
200410401
申請日期
2002-12-05
申請人
力旺電子股份有限公司
發明人
徐清祥
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L27/115
查看申請人公司資訊
本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。
拒絕
接受
×
形成可降低漏電流之電子式程式化唯讀記憶體的方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通