IPC H01L27/115 專利列表
共 75 筆結果
Ｐ型記憶單元組成之反及型記憶模組之操作方法
力旺電子股份有限公司
案號 0931022322004-01-30IPC H01L27/115
疊堆閘快閃細胞元結構及其無接點非或型快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0931010712004-01-15IPC H01L27/115
可微縮化串／接地選擇閘結構及其無接點非及型氧氮氧快閃記憶陣列
智源開發股份有限公司
案號 0931005212004-01-09IPC H01L27/115
非揮發性記憶胞及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921372662003-12-29IPC H01L27/115
具有量子點儲存單元的非揮發性記憶體之結構與製造方法
財團法人國家實驗研究院
案號 0921368192003-12-25IPC H01L27/115
非揮發性半導體記憶裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921366782003-12-24IPC H01L27/115
具有溝槽選擇閘的快閃記憶體及其製造方法
矽儲存科技股份有限公司
案號 0921367632003-12-24IPC H01L27/115
具電荷捕捉記憶胞元之半導體記憶體及製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921346222003-12-08IPC H01L27/115
Ｐ通道可電除可程式唯讀記憶體的程式化方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921335072003-11-28IPC H01L27/115
半導體可程式元件
宇晶科技股份有限公司
案號 0921319302003-11-14IPC H01L27/115
積體電路記憶體裝置以及對此裝置程式化的方法，以使在程式化操作中汲取的電流與要被程式化之資料無關
三星電子股份有限公司
案號 0921317502003-11-13IPC H01L27/115
一種允許位元組、頁、以及區塊寫入之新單體式小型不消失記憶體，其具有在單元陣列中不受干擾與分割良好之特性，而使用具有新的解碼器設計與佈局之整合單元結構與技術
柰米閃芯積體電路有限公司
案號 0921317012003-11-12IPC H01L27/115
具有Ｐ＋閘極與薄底部閘極之記憶裝置及其抹除方法
賽普拉斯半導體公司
案號 0921313662003-11-10IPC H01L27/115
使用槽口型閘極之具有局部ＳＯＮＯＳ結構之快閃記憶體元件以及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921306702003-11-03IPC H01L27/115
多階記憶胞
力晶積成電子製造股份有限公司
案號 0921279152003-10-08IPC H01L27/115
非揮發性記憶體裝置及其形成方法
美商ＶＬＳＩ科技有限責任公司
案號 0921278182003-10-07IPC H01L27/115
自行對準分散閘極ＮＡＮＤ快閃記憶體及製法
矽儲存科技股份有限公司
案號 0921241222003-09-01IPC H01L27/115
於具１-２Ｆ２胞元之胞元陣列排列中具鉛直記憶體電晶體之半導體記憶體
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921233292003-08-25IPC H01L27/115
具鉛直記憶體電晶體之半導體記憶體及其製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921233302003-08-25IPC H01L27/115
插栓結構上之電容器
億恆科技股份公司
案號 0921223032003-08-13IPC H01L27/115