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專利資訊
具有改良耦合率之浮置閘極以及快閃記憶體的製造方法
世界先進積體電路股份有限公司
申請案號
091135406
公告號
200410372
申請日期
2002-12-06
申請人
世界先進積體電路股份有限公司
發明人
楊曉瑩
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/8247
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