IPC H01L21/8247 專利列表
共 113 筆結果
記憶單元之佈局
應用智慧股份有限公司
案號 0931068122004-03-15IPC H01L21/8247
非揮發性記憶單元及其製造方法
力旺電子股份有限公司
案號 0931064292004-03-11IPC H01L21/8247
多位元非依電性記憶體裝置及其製造方法
飛思卡爾半導體公司
案號 0931049202004-02-26IPC H01L21/8247
快閃記憶胞的製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0931038662004-02-18IPC H01L21/8247
快閃記憶體的源極線與快閃記憶體之製造方法
世界先進積體電路股份有限公司
案號 0931034652004-02-13IPC H01L21/8247
快閃記憶體的製造方法
力晶積成電子製造股份有限公司
案號 0931032792004-02-12IPC H01L21/8247
快閃記憶體的製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0931030042004-02-10IPC H01L21/8247
非揮發性記憶胞的製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0931030032004-02-10IPC H01L21/8247
包含非揮發性記憶體之半導體裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0931019722004-01-29IPC H01L21/8247
用以降低後段製程中紫外線引起之矽-氧化物-氮化物-氧化物-矽（ＳＯＮＯＳ）雙位元快閃記憶體裝置充電的紫外線阻障層
賽普拉斯半導體公司
案號 0931011442004-01-16IPC H01L21/8247
快閃記憶體裝置之改良製造方法
美商英飛凌科技有限責任公司
案號 0931011412004-01-16IPC H01L21/8247
半導體元件的形成方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921375822003-12-31IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921376562003-12-31IPC H01L21/8247
自動對準串／接地選擇閘結構及其無接點非及型快閃記憶陣列
智源開發股份有限公司
案號 0921373832003-12-30IPC H01L21/8247
沿組成疊層側壁有介電間隙壁之非揮發性記憶元件及其形成方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921372622003-12-29IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921372952003-12-29IPC H01L21/8247
半導體儲存裝置及可攜式電子設備
夏普股份有限公司
案號 0921371432003-12-26IPC H01L21/8247
偶對疊堆閘快閃細胞元結構及其無接點非及型快閃記憶陣列
智源開發股份有限公司
案號 0921370032003-12-26IPC H01L21/8247
製造快閃記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921371452003-12-26IPC H01L21/8247
具有柱腳之非揮發性記憶體
茂德科技股份有限公司
案號 0921367282003-12-24IPC H01L21/8247