IP

包括含氮部份與含氧部份之分裂式障壁層

美商貝爾半導體公司

申請案號
091135431
公告號
200401393
申請日期
2002-12-06
申請人
美商貝爾半導體公司
發明人
吉拉德W 吉布森二世
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

包括含氮部份與含氧部份之分裂式障壁層 - 專利資訊 | NowTo 智財通