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具有高性能積體電路多晶矽凝集熔消元件之互補金氧半導體之製法
格羅方德半導體公司
申請案號
091135639
公告號
200301549
申請日期
2002-12-10
申請人
格羅方德半導體公司
發明人
西比 蘇魯塞伊爾
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/8228
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