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IPC H01L21/8228 專利列表

共 3 筆結果

金氧半導體電晶體的製造方法

聯華電子股份有限公司

案號 0931054832004-03-03IPC H01L21/8228

具閘極間隙壁之金氧半元件及其製造方法

台灣積體電路製造股份有限公司

案號 0921186802003-07-09IPC H01L21/8228

具有高性能積體電路多晶矽凝集熔消元件之互補金氧半導體之製法

格羅方德半導體公司

案號 0911356392002-12-10IPC H01L21/8228

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